Disco M.2 Nvme 1tb Samsung Oem Vz-vl81t0b 2280 Pcie 4.0

Samsung PM9C1, 1 TB, M.2, 5000 MB/s

SAMSUNG
MZVL81T0HDLB-00BLL
HDIM.2 1TB SAM MZ-VL81T0B
Disco Interno M.2
Descripción
Samsung PM9C1. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 5000 MB/s, Velocidad de escritura: 4000 MB/s, Componente para: PC/ordenador portátil
Características
SDD, capacidad1 TB
Factor de forma de disco SSDM.2
InterfazPCI Express 4.0
NVMeSi
Componente paraPC/ordenador portátil
Velocidad de lectura5000 MB/s
Velocidad de escritura4000 MB/s
Lectura aleatoria (4KB)650000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)800000 IOPS

A tope de velocidad: Ve al grano. El 980 aprovecha la velocidad de la PCIe 3.0 con la tecnología HMB y una espectacular eficiencia de NVMe. El diseño DRAMless ofrece una calidad excelente y velocidades secuenciales de lectura/escritura de vértigo de hasta 3500/3000 Mb/s*, unas 6,2 veces la velocidad de los SSD SATA.

A la vanguardia con el modo Full Power: Haz que tu SSD funcione al máximo nivel con un rendimiento alto, constante e ininterrumpido con el modo Full Power. Actívalo en el software Samsung Magician para que tu SSD siempre esté activo. Pasa de trabajar con archivos enormes a jugar con gráficos exigentes o al uso normal de tu PC al instante

Control térmico fiable: Los SSD de alto rendimiento precisan un control térmico similar. Para garantizar un rendimiento estable, el 980 utiliza un recubrimiento de níquel que ayuda a gestionar el nivel de calor del controlador y una etiqueta de distribución de calor que brinda un control térmico eficaz del chip NAND.

Solución térmica inteligente: Integrado en el vanguardista algoritmo de control térmico de Samsung, el 980 gestiona el calor para ofrecer un rendimiento duradero y fiable. La tecnología Dynamic Thermal Guard de Samsung minimiza las fluctuaciones en el rendimiento a largo plazo y mantiene la temperatura en niveles óptimos.

 

    • Versión NVMe: 1.4
    • Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
    • Factor de forma de disco SSD: M.2
    • SDD, capacidad: 1000 GB
    • Interfaz: PCI Express 3.0
    • Tipo de memoria: V-NAND
    • NVMe: Si
    • Encriptación de hardware: Si
    • Velocidad de lectura: 3500 MB/s
    • Velocidad de escritura: 3000 MB/s
    • Lectura aleatoria (4KB): 500000 IOPS
    • Escritura aleatoria (4KB): 480000 IOPS
    • Carriles datos de interfaz PCI Express: x4
    • Soporte S.M.A.R.T.: Si
    • Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
  • Control de energía
    • Voltaje de operación: 3,3 V
    • Consumo de energía (max): 5,3 W
    • Consumo de energía (promedio): 4,6 W
  • Condiciones ambientales
    • Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
    • Vibración operativa: 1500 G
  • Peso: 8 g
Detalles del producto
SAMSUNG
HDIM.2 1TB SAM MZ-VL81T0B

Ficha técnica

  • PCI Express 4.0
  • PC/ordenador portátil
  • 1 TB
  • Si
  • M.2

Referencias específicas

  • MZVL81T0HDLB-00BLL
Crear Oferta Pdf
Generar PDF
Cookies